創櫃公司「埃爾思科技」完成1.2億元A輪募資計畫聚焦FIB設備國產化，迎半導體先進製程發展需求

2026/08/17

股票代號7677的創櫃板公司「埃爾思科技」日前宣布完成新台幣1.2億元的A輪現金增資計畫，經溢價發行後的實收資本額來到8,665萬元，後續除了持續擴大奈米探針製造銷售業務外，將聚焦於FIB（聚焦離子束）從模組替換到設備國產化的自主研發目標，可滿足半導體先進製程客戶在研發階段的晶圓品質檢測與電路修補之需求．以協助客戶縮短晶片量產的時間並提升IC設計品質為其價值主張。

埃爾思科技創辦人暨董事長張維哲博士表示，本次現金增資計畫由「國聯創投」領投，國發基金「加強投資策略性製造業計畫」與「泓達投資」關聯投資人跟投，總計1.2億元，主要針對未來3-5年的市場布局與技術研發計畫進行資本形成，預期碩博級研發人力將擴大至30人規模，並訂立在2030年前成功上櫃的中長程目標。張維哲繼續補充，埃爾思自從2023年以自有專利技術成功研製高品質的奈米等級探針並獲半導體先進製程客戶採用至今，在早期策略投資人「蔚華科技」的代理銷售以及本公司以原廠直營的雙軌市場布局策略下，已經陸續成功打入台灣、中國、東南亞與韓國市場並獲得多家知名晶圓製造與封測大廠的合格供應商資格，而埃爾思也順利在2025年於本公司創業第6年之際，順利登錄櫃買中心創櫃板。在完成本次增資計畫後，埃爾思將有充足的資源來投入中長期的研發計畫，且不排除在未來2年內再啟動下一輪現金增資，期以建構更深的技術壁壘與產業護城河。

同為公司創辦人並擔任CTO角色的副總經理林君岳博士，則說明埃爾思科技以自主研發的單原子針（SAT）與氣體場離子源（GFIS）技術為核心，致力於突破現行聚焦離子束（FIB）設備的技術瓶頸。相較於傳統鎵液態金屬離子源（Ga-LMIS），本公司的SAT-GFIS光源尺寸僅0.3奈米、能量分佈小於1電子伏特，可大幅提升加工精細度與成像解析度，並徹底解決金屬汙染問題。在系統架構上，公司已取得FI²B單柱多離子束專利，能於單一光學柱內切換不同離子種類，兼顧高解析成像（He⁺）與高效率材料去除（Xe⁺／Ar⁺），大幅簡化系統結構、降低設備成本與操作複雜度。未來3-5年的研發策略採階段式推進，短期以「FIB升級模組」切入既有中古設備市場，稱為模組替換策略，協助客戶以低資本支出即可將廠內過保的FIB設備提升至符合先進製程等級需求之戰力機種；中期則投入開發「晶圓級整合平台」，將加工能力自破片樣品延伸至完整8吋晶圓，稱為平台整合策略；而最後的目標則整合累積之核心技術，推出國產化自有品牌次世代FIB系統，稱為設備國產化策略。

埃爾思科技的種子輪投資人亦為公司董事會成員之一的誠研創新(股)公司董事長鍾金峯表示，由於台灣半導體龍頭公司的持續技術領先優勢以及產業高度群聚化所形成的價值鏈影響力，對於關鍵模組技術以及核心製程與檢測設備的國產化策略議題，確實已經具備豐厚的滋養土壤與市場剛需力度，加上國家級的政策資源助力，正是埃爾思科技將科研成果從實驗室帶入產業界並取得初步成功的關鍵因素。回顧公司自2019年成立至今已邁入第8個年頭，幾乎是從零開始的技術商品化與客戶經營經驗累積，在漫長的研發過程中，如何有效的技術變現與平衡現金流，獲取客戶與風投市場的信心，著實是過往數年的經營日常與核心命題。而在本次獲得國聯創投與國發基金在內的投資機構支持後，預期新改組的董事會將更致力於協助公司合規治理、組織流程建立與重大資本支出計畫檢視優化等核心任務，共同推動在2030年前以國內首家切入半導體先進製程FIB設備國產化的科研公司上櫃成功為目標。

關鍵字 :埃爾思、誠研創新、櫃買中心、半導體、奈米探針、國聯創投、國發基金、資本市場

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